オープンファシリティ

【超高分解能走査型電子顕微鏡】

Ultra high resolution Scanning Electron Microscope system

メーカー／型番：日立ハイテクノロジーズ／SU8230

AP-200071

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状態：Status

稼働中 In Service

予約状況
Equipment Availability

設置場所Location

建屋・棟：Building	創成科学研究棟
住所：Address	〒001-0021 北海道札幌市北区北２１条西１０丁目
フロア：Floor	01-305

メーカー／型番：Manufacturer／Model Name

日立ハイテクノロジーズ／SU8230
Hitachi Hightechnologies／

カテゴリー：Category

画像分析装置

装置管理者：Instrument Manager

ナノテク連携室
nano-support-GFC@es.hokudai.ac.jp
0117069340

装置所属／装置供出者：Affiliated Department／Instrument Provider

電子科学研究所
Advanced Research Infrastructure for Materials and Nanotechnology

利用料金：Fee

初回講習料Initial Training Fee	学外（他大学・公的機関）		￥26,400
	学外（その他・民間企業）		￥26,400

予約利用料Facility Usage Fee	学外（他大学・公的機関）	データなし	￥2,900 / 時間
		データあり	￥2,300 / 時間
	学外（その他・民間企業）	データなし	￥5,800 / 時間
		データあり	￥4,500 / 時間

技術代行料Processing Fee	学外（他大学・公的機関）	データなし	￥11,700 / 時間
		データあり	￥11,100 / 時間
	学外（その他・民間企業）	データなし	￥14,600 / 時間
		データあり	￥13,300 / 時間

技術補助料Technical Assisting Fee	学外（他大学・公的機関）	データなし	￥7,300 / 時間
		データあり	￥6,700 / 時間
	学外（その他・民間企業）	データなし	￥10,200 / 時間
		データあり	￥8,900 / 時間

技術支援料（通常）Technical Support Fee (Normal)	学外（他大学・公的機関）		￥4,400 / 時間
	学外（その他・民間企業）		￥4,400 / 時間

技術支援料（高度）Technical Support Fee (High)	学外（他大学・公的機関）		￥8,800 / 時間
	学外（その他・民間企業）		￥8,800 / 時間

技術相談料Technical Consulting Fee	学外（他大学・公的機関）		￥11,000 / 時間
	学外（その他・民間企業）		￥11,000 / 時間

備考：Note	マテリアル先端リサーチインフラ事業装置（ARIM装置番号：HK-404）
概要・性能：Performance	Cold-FEGを用いた走査型透過電子顕微鏡。EDS測定可能。
仕様：Specs	"・電子銃：冷陰極電界放射型電子銃(ColdFE)　・加速電圧：0.1～30 kV　・倍率：×25～200,000　　・分析機能：EDS　・試料ホルダー：最大150mm×10mm(H)"
参考論文：Scholarly Articles	「Polycrystalline Indium Oxide for High-Mobility Thin-Film Transistors」、Asia-Pacific Workshop on Advanced Semiconductor Devices (AWAD2024, Invited)、2024、Mamoru Furuta 「Nucleation and grain growth in low-temperature rapid solid-phase crystallization of hydrogen-doped indium oxide」、Japanese Journal of Applied Physics、03SP38、2024、Xiaoqian Wang 「Performance and Reliability of Hydrogen-doped Polycrystalline Indium Oxide Thin-Film Transistors」、ECS-PRiME2024 (Invited)、2024、Mamoru Furuta 「High-Mobility and Enhancement-Mode Thin-Film Transistors with Solid-Phase Crystallized Hydrogen-Doped Indium Oxide channel」、The 24th International Meeting on Information Display (IMID2024, Invited)、2024、Mamoru Furuta 「Uniformity and Reliability of Enhancement-Mode Polycrystalline Indium Oxide Thin Film Transistors Formed by Solid-Phase Crystallization」、IEEE Electron Device Letters、2403 - 2406、2024、Naoki Okamoto 「Growth of α-Al2O3 layer involving abnormal oxides in FeCrAl alloy tube fabricated by WEDM process and electrical insulating performance in fusion reactor blanket」、Surface and Coatings Technology、Volume 493, Part 2 , 15 October 2024, 13、2022、Ryuhei Muto 「局所レーザー加熱を用いた NiFe 基板上へのグラファイト膜の選択合成」、フォトニクスニュース第7巻第1号第68回応用物理学会春季学術講演会 Editor's Picks、2021、藤原英樹「Fabrication and Control of Semiconductor Random Lasers Using Laser Processing Techniques」、High-Energy Chemistry and Processing in Liquids、93-114、2022、Hideki Fujiwara 「Development of magnetic responsive random lasers fabricated by a laser-induced surface roughness」、APPLIED PHYSICS LETTERS 巻:119 号:4 記事番号:041105、2021、Hideki Fujiwara 「Spin–Orbit Angular-Momentum Transfer from a Nanogap Surface Plasmon to a Trapped Nanodiamond」、Nano Letters 巻:21 号:14、6268-6273、2021、Hideki Fujiwara

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課題番号 * ：Issue No.
利用責任者：User Manager
利用者：User
申込日：Application Date	2025/05/19
初回講習料：Initial Training Fee
連絡事項：Note