オープンファシリティ

【FIB-SEM複合装置】

FIB-SEM Integrated System

メーカー／型番：日立ハイテク／Ethos NX5000

AP-200097

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状態：Status

メンテナンス中 Under Maintenance

予約状況
Equipment Availability

設置場所Location

建屋・棟：Building	創成科学研究棟
住所：Address	〒001-0021 北海道札幌市北区北２１条西１０丁目
フロア：Floor	01-305

メーカー／型番：Manufacturer／Model Name

日立ハイテク／Ethos NX5000
Hitachi High-Tech Corporation.／Ethos NX5000

カテゴリー：Category

微細加工・表面加工装置／集束イオンビーム加工観察装置(FIB)
Microfabrication & Surface Processing Equipment／Focused Ion Beam System

装置管理者：Instrument Manager

ナノテク連携室

0117069340

装置所属／装置供出者：Affiliated Department／Instrument Provider

電子科学研究所
Advanced Research Infrastructure for Materials and Nanotechnology

利用料金：Fee

初回講習料（基本料）Initial Training Fee	学外（他大学・公的機関）		￥44,000
	学外（その他・民間企業）		￥44,000

予約利用料Facility Usage Fee	学外（他大学・公的機関）	データなし	￥8,800 / 時間
		データあり	￥6,900 / 時間
	学外（その他・民間企業）	データなし	￥20,400 / 時間
		データあり	￥15,800 / 時間

技術代行料Processing Fee	学外（他大学・公的機関）	データなし	￥17,600 / 時間
		データあり	￥15,700 / 時間
	学外（その他・民間企業）	データなし	￥29,200 / 時間
		データあり	￥24,600 / 時間

技術補助料Technical Assisting Fee	学外（他大学・公的機関）	データなし	￥13,200 / 時間
		データあり	￥11,300 / 時間
	学外（その他・民間企業）	データなし	￥24,800 / 時間
		データあり	￥20,200 / 時間

技術支援料（通常）Technical Support Fee (Normal)	学外（他大学・公的機関）		￥4,400 / 時間
	学外（その他・民間企業）		￥4,400 / 時間

技術支援料（高度）Technical Support Fee (High)	学外（他大学・公的機関）		￥8,800 / 時間
	学外（その他・民間企業）		￥8,800 / 時間

技術相談料Technical Consulting Fee	学外（他大学・公的機関）		￥11,000 / 時間
	学外（その他・民間企業）		￥11,000 / 時間

備考：Note	マテリアル先端リサーチインフラ事業装置（ARIM登録番号：HK-XXX）
概要・性能：Performance	高輝度冷陰極電界放出型電子銃と新開発の電磁界重畳型レンズにより、低加速電圧での高分解能観察とリアルタイムFIB加工観察との両立が可能。さらに、SEMカラム内に3つの検出器を搭載することで、二次電子による形状コントラストや反射電子による組成コントラストを同時観察でき、ナノメータースケールの構造物を見逃すことなく観察・解析できる。	The high-brightness cold cathode field emission electron gun and newly developed electromagnetic field superimposed lens enable both high-resolution observation at low acceleration voltages and real-time FIB machining observation. Furthermore, by mounting three detectors within the SEM column, simultaneous observation of shape contrast via secondary electrons and composition contrast via reflected electrons is possible, allowing observation and analysis of nanometer-scale structures without overlooking any details.
仕様：Specs	＜FIB＞二次電子像分解能（C.P）　4 nm @ 30 kV 　　　　　　　　　　　　 60 nm @ 2 kV （エッジ分解能）加速電圧　0.5 kV - 30 kV プローブ電流範囲　0.05 pA - 100 nA イオン源　Ga液体金属イオン源＜SEM＞二次電子像分解能（C.P）1.5 nm @ 1 kV、0.7 nm @ 15 kV 加速電圧 0.1 kV - 30 kV プローブ電流範囲 5 pA - 10 nA 電子銃冷陰極電界放出型標準検出器 In-Column二次電子検出器　SE（U） In-Column反射電子検出器　BSE（U） In-Column反射電子検出器　BSE（L）チャンバー二次電子検出器　SE（L）	＜FIB＞ Secondary Electron Image Resolution (C.P.) 4 nm @ 30 kV 60 nm @ 2 kV (Edge Resolution) Accelerating Voltage 0.5 kV - 30 kV Probe Current Range 0.05 pA - 100 nA Ion Source Ga Liquid Metal Ion Source ＜SEM＞ Secondary Electron Image Resolution (C.P) 1.5 nm @ 1 kV, 0.7 nm @ 15 kV Accelerating Voltage 0.1 kV - 30 kV Probe Current Range 5 pA - 10 nA Electron Gun Cold Cathode Field Emission Type Standard Detectors In-Column Secondary Electron Detector: SE(U) In-Column Backscattered Electron Detector: BSE(U) In-Column Backscattered Electron Detector: BSE(L) Chamber Secondary Electron Detector: SE(L)

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課題番号 * ：Issue No.
利用責任者：User Manager
利用者：User
申込日：Application Date	2026/04/16
初回講習料（基本料）：Initial Training Fee
連絡事項：Note