オープンファシリティ

【超高分解能走査型電子顕微鏡】

Ultra high resolution Scanning Electron Microscope system

メーカー／型番：日立ハイテクノロジーズ／SU8230

AP-200071

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お問い合わせContact

状態：Status

稼働中 In Service

予約状況
Equipment Availability

設置場所Location

建屋・棟：Building	創成科学研究棟
住所：Address	〒001-0021 北海道札幌市北区北２１条西１０丁目
フロア：Floor	01-305

メーカー／型番：Manufacturer／Model Name

日立ハイテクノロジーズ／SU8230
Hitachi Hightechnologies／

カテゴリー：Category

顕微鏡(電子)／走査型電子顕微鏡(SEM)
Electron Microscopes／Scanning Electron Microscope (SEM)

装置管理者：Instrument Manager

ナノテク連携室

0117069340

装置所属／装置供出者：Affiliated Department／Instrument Provider

電子科学研究所
Advanced Research Infrastructure for Materials and Nanotechnology

利用料金：Fee

初回講習料（基本料）Initial Training Fee	学外（他大学・公的機関）		￥26,400
	学外（その他・民間企業）		￥26,400

予約利用料Facility Usage Fee	学外（他大学・公的機関）	データなし	￥3,200 / 時間
		データあり	￥2,500 / 時間
	学外（その他・民間企業）	データなし	￥6,000 / 時間
		データあり	￥4,700 / 時間

技術代行料Processing Fee	学外（他大学・公的機関）	データなし	￥12,000 / 時間
		データあり	￥11,300 / 時間
	学外（その他・民間企業）	データなし	￥14,800 / 時間
		データあり	￥13,500 / 時間

技術補助料Technical Assisting Fee	学外（他大学・公的機関）	データなし	￥7,600 / 時間
		データあり	￥6,900 / 時間
	学外（その他・民間企業）	データなし	￥10,400 / 時間
		データあり	￥9,100 / 時間

技術支援料（通常）Technical Support Fee (Normal)	学外（他大学・公的機関）		￥4,400 / 時間
	学外（その他・民間企業）		￥4,400 / 時間

技術支援料（高度）Technical Support Fee (High)	学外（他大学・公的機関）		￥8,800 / 時間
	学外（その他・民間企業）		￥8,800 / 時間

技術相談料Technical Consulting Fee	学外（他大学・公的機関）		￥11,000 / 時間
	学外（その他・民間企業）		￥11,000 / 時間

備考：Note	マテリアル先端リサーチインフラ事業装置（ARIM装置番号：HK-404）
概要・性能：Performance	Cold-FEGを用いた走査型透過電子顕微鏡。EDS測定可能。
仕様：Specs	"・電子銃：冷陰極電界放射型電子銃(ColdFE)　・加速電圧：0.1～30 kV　・倍率：×25～200,000　　・分析機能：EDS　・試料ホルダー：最大150mm×10mm(H)"
参考論文：Scholarly Articles	「Polycrystalline Indium Oxide for High-Mobility Thin-Film Transistors」、Asia-Pacific Workshop on Advanced Semiconductor Devices (AWAD2024, Invited)、2024、Mamoru Furuta 「Nucleation and grain growth in low-temperature rapid solid-phase crystallization of hydrogen-doped indium oxide」、Japanese Journal of Applied Physics、03SP38、2024、Xiaoqian Wang 「Performance and Reliability of Hydrogen-doped Polycrystalline Indium Oxide Thin-Film Transistors」、ECS-PRiME2024 (Invited)、2024、Mamoru Furuta 「High-Mobility and Enhancement-Mode Thin-Film Transistors with Solid-Phase Crystallized Hydrogen-Doped Indium Oxide channel」、The 24th International Meeting on Information Display (IMID2024, Invited)、2024、Mamoru Furuta 「Uniformity and Reliability of Enhancement-Mode Polycrystalline Indium Oxide Thin Film Transistors Formed by Solid-Phase Crystallization」、IEEE Electron Device Letters、2403 - 2406、2024、Naoki Okamoto 「Growth of α-Al2O3 layer involving abnormal oxides in FeCrAl alloy tube fabricated by WEDM process and electrical insulating performance in fusion reactor blanket」、Surface and Coatings Technology、Volume 493, Part 2 , 15 October 2024, 13、2022、Ryuhei Muto 「局所レーザー加熱を用いた NiFe 基板上へのグラファイト膜の選択合成」、フォトニクスニュース第7巻第1号第68回応用物理学会春季学術講演会 Editor's Picks、2021、藤原英樹「Fabrication and Control of Semiconductor Random Lasers Using Laser Processing Techniques」、High-Energy Chemistry and Processing in Liquids、93-114、2022、Hideki Fujiwara 「Development of magnetic responsive random lasers fabricated by a laser-induced surface roughness」、APPLIED PHYSICS LETTERS 巻:119 号:4 記事番号:041105、2021、Hideki Fujiwara 「Spin–Orbit Angular-Momentum Transfer from a Nanogap Surface Plasmon to a Trapped Nanodiamond」、Nano Letters 巻:21 号:14、6268-6273、2021、Hideki Fujiwara

重要なお知らせ（Important News）

2025/12/10 ★ 2026/01/08（木）　01-305室工事のため装置利用不可、入室不可

2025/12/10 ★ 2026/02/09（月）～02/13（金）　01-305室装置導入のため、装置利用不可、入室不可

2025/11/12 ★ 2025年11月～2026年3月　装置導入に伴う工事や移設のため利用が制限されます

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課題番号 * ：Issue No.
利用責任者：User Manager
利用者：User
申込日：Application Date	2025/12/12
初回講習料（基本料）：Initial Training Fee
連絡事項：Note